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用GaN做LLC,谐振电流波形异常,泛起炸机
浏览: 525 |  回复: 15 楼层中转

2019/06/04 10:03:54
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战士

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半桥LLC谐振变换器,副边用全波整流。特殊参数:输入400V,输入48V,谐振频率200KHZ,功率400W,励磁电感190uH,谐振电感16.6uH(推敲变压器漏感4.6uH),谐振电容38nF,去世区80nS;

保持负载电流为1A,开环定频使命,徐徐增年夜输入电压,输入电压为100V时,波形如图1,驱动波形和管子DS端电压没有震惊,谐振电流波形基本正常;

输入电压增年夜到200V,驱动波形和管子DS端电压依然没有震惊,但谐振电流波形泛起显着不规则情形;一连增年夜输入电压,谐振电流波形不规则加倍显着,泛起炸机。

用mosfet做测试,实验效果基本正常,换用GAN测试,泛起这些效果,第一次用GAN ,求年夜侠们见教。

标签 开关电源 LLC
2019/06/04 10:51:01
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米隐士家
电源币:175 | 积分:50 主题帖:9 | 回复帖:578
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师长

极速赛车 较量高年夜上,没用过GaN,给出的这些信息不错。

极速赛车 看你的波形图,较量切合一种情形,就是这颗GaN的外部没有并联的二极管或并联的二极管才干缺乏。详细要看这个GaN的型号。

极速赛车 外面另外再并联一颗快恢复二极管就没效果了。须要一个续流通道。

2019/06/04 11:07:12
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电源币:0 | 积分:4 主题帖:1 | 回复帖:0
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战士
谢谢您的看法,用的是GaN systems公司的GS66502B管子,管子外部没有反并二极管,没有反向回复,但具有二极管特点。
2019/06/04 12:58:17
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shao456
电源币:207 | 积分:5 主题帖:1 | 回复帖:105
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营长
驱动电压有负的吗
2019/06/04 14:17:23
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战士
没有用负压,正电压6.1V,应当不是曲折桥臂直通吧,总感应谐振电流波形的变换很希奇。
2019/06/04 15:13:12
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shao456
电源币:207 | 积分:5 主题帖:1 | 回复帖:105
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营长

极速赛车 1、LLC拓扑须要MOS管在关断时代由二极管来续流,否则没法完成ZVS,氮化镓MOS没有体二极管,故要外接二极管

极速赛车 2、我看你的去世区似乎有点小,能否经由盘算验证?

2019/06/04 15:46:26
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电源币:0 | 积分:4 主题帖:1 | 回复帖:0
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战士

极速赛车 GAN没有体二极管,但在去世区时间内,由于GAN自己的二极管特点,是可以完成续流的;

极速赛车 去世区时间之前用的是120nS,厥后改成80nS,两个去世区时间都能完成ZVS,且情形一样,应当不是这个效果吧。

2019/06/04 15:55:25
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shao456
电源币:207 | 积分:5 主题帖:1 | 回复帖:105
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营长
去世区时间:要保证在最年夜输入电压、空载下,LLC可完成ZVS,高压输入时完成ZVS不用定高压时也ZVS,建议先调年夜,最后没有用果再回调。
2019/06/04 16:06:44
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战士
之前用mosfet做测试的时间,去世区时间为120nS时,400V输入,1A负载电流时是可以完成ZVS的,换用GAN以后,实验情形同文首形貌一样
2019/06/05 10:51:47
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水乡电源[训练版主]
电源币:208 | 积分:46 主题帖:9 | 回复帖:623
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军长

楼主的GS和DS波形有堆叠,不克不及完全算ZVS,

建议把去世区时间调年夜

2019/06/05 15:44:57
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战士
第一张图里100V输入时有稍微的堆叠,再第二张图里200V输入时就完全完成了ZVS的,这两张图去世区是80nS;之前测试已往世区120nS的,效果一样,炸机
2019/06/05 11:11:34
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shao456
电源币:207 | 积分:5 主题帖:1 | 回复帖:105
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营长
异常的电路,用MOS做没有用果,换成GaN就不行了吗?其他有没有纷歧样的?
2019/06/05 11:40:18
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yujunice
电源币:31 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:10
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班长

去世区时间之前用的是120nS,厥后改成80nS,两个去世区时间都能完成ZVS,且情形一样,应当不是这个效果吧。GAN没有体二极管,但在去世区时间内,由于GAN自己的二极管特点,是可以完成续流的;

2019/06/05 16:00:22
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电源币:0 | 积分:4 主题帖:1 | 回复帖:0
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战士

是的,用mosfet做测试,实验效果基本正常,最高效力95.7%,满载效力95.2%;但是谐振电流波形有一点尖峰,(这个应当是变压器的寄生电容惹起的,之前尖峰更严重,刷新过绕组结构后,许多若干许多几何了,如图为mosfet测试,半载时的谐振电流波形)

极速赛车 附上GaN的驱动电路图,以供参考:

2019/06/05 16:49:30
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shao456
电源币:207 | 积分:5 主题帖:1 | 回复帖:105
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营长
GaN的器件我没有用过,建议同时不雅不雅测统一MOS的Vgs和Ids波形,要一定没有进入容性区,我看你的谐振电容的相位似乎不太对。
2019/06/05 17:33:59
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电源币:0 | 积分:4 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
战士
好的,我验证下
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